合肥长鑫19nm DRAM内存芯片产能增加

存储器产品占到了我国每年进口半导体芯片中的大头，其中DRAM内存芯片占比最高，有20%以上。

最新报道称，合肥长鑫正逐步提到19nm DRAM芯片的产能，目标是月产4万片晶圆。

在9月份开幕的201 9世界制造业大会上，合肥长鑫公司宣布总投资1500亿元的合肥长鑫内存芯片自主制造项目投产，将生产国产第一代10nm级8Gb DDR4内存。

长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明介绍，投产的8Gb DDR4通过了多个国内外大客户的验证，今年底正式交付，另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产。

据悉，长鑫的DRAM技术主要来自已经破产的奇梦达，包括将后者一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据收归囊中。

（编辑：三门峡站长网）

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